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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。

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湖北孝感各种报废电缆电线光伏板有人认为把R3的阻值减小，Ib就可以变大，大于0.2mA时，蜂鸣器就可以正常工作。但是蜂鸣器的压降很难获知，而且有些蜂鸣器的压降可能变动，这样一来基极电阻阻值就很难选择，阻值选择太大就会驱动失败，选择太小，损耗又变大。d电路也会出现同样的问题，所以不建议选用图二的这两种电路。这两个电路，电路的驱动信号为3.3VTTL电平，常出现在3.3V的MCU电路设计中，如果不注意就很容易就设计出这两种电路，而这两种电路都是错误的。什么意思呢？比如10KV/0.4KV的三档位 档：9500V显然一档，三挡。高往高调："高"指低压侧电压如果过高，"往高调"指分接关往 位调。低往低调："低"指低压侧电压如果太低，"往低调"指分接关往低档位调为什么要这样调呢？现在在二档，输出电压过高，就将关调到一档，因为 位就是指一次绕组匝数多，调到 位，就是将一次绕组匝数增加了，二次绕组匝数不变，也就是变比增大了，一次电源电压不变，变比增大，二次输出电压就会降低。但采用正弦波PWM方式时，低次的谐波分量小，影响变小。减弱或消除振动的方法是在变频器输出侧设置交流电抗器，以吸收变频器输出电流中的高次谐波电流成分。使用PAM方式或方波PWM方式变频器时，可改用正弦波PWM方式变频器，以减小脉动转矩。电动机振动的原因可分为电磁与机械两种。1)电磁原因引起的振动表现为：较低次的谐波分量与转子的谐振，使固有频率附近的振动分量增加。由于谐波产生的脉动转矩的影响发生振动，特别是当脉动转矩的频率同电动机转子与负载构成的轴系扭转固有频率一致时将发生谐振。电路中要接交流电抗器的情况（同一电路中有多台变频器时输入变压器的容量过大，是变频器的十倍以上大晶闸管时，存在互相干扰的可能，变频器对其他设备有干扰时，存在输入电压不平衡的情况，且不平衡度大于3%）1交流电抗器的选择原则L=（2-5%）U/2πfIn（U变频器额定电压，In变频器额定电流）1有效值=1.1倍的平均值平均值=0.637的值值=根号二倍的有效值。感性负载的电流落后于电压一个角度Φ，所以功率因素cosΦ1，阻性负载就不同，电压和电流相位角相同，所以电路中并联电容，只能增加线路中的功率因素，电机的功率因素是不会变化的。